Transistors. Page 60 sur 114. Avtronic

Transistor BUZ34

32.09€ TTC

1 En stock

Transistor BUZ34 N-MOS 200V 14A 78W <0.2R (9A). V-MOS L.. MOS-N-FET. Constructeur: PHI. Boîtier: 100/310nS. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 78 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ41A

11.87€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 4.5A 75W <1.5R(3A). Boîtier: 100/260nS. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 4.5A. Puissance: 75W. Id(T=100): 3A. Résistance Rds: 1.5. Fréquence de l´horlogenction: V-MOS L..

0

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ74

4.54€ TTC

4 En stock

Transistor BUZ74 N-MOS 500V 2.4A 40W <3R(1.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 40 W

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ76

4.48€ TTC

2 En stock

Transistor BUZ76 N-MOS 400V 3A 40W <1.8R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Boîtier: <57/115nS. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 1.8. Puissance: 40 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ77A

5.99€ TTC

3 En stock

Transistor BUZ77A N-MOS 600V 2.7A 75W <4R(1.7A). V-MOS. <50/105nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.7 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 75 W

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ77B

6.27€ TTC

6 En stock

Transistor BUZ77B N-MOS 600V 2.9A 75W<3.5R(1.7A). V-MOS. MOS-N-FET. Boîtier: <50/105nS. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.7 A. Rds (Ohms): 3.5. Puissance: 75 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ80

13.44€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor BUZ80 N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IEC. Boîtier: SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor BUZ80-SIE

9.02€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor BUZ80-SIE N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: SIE. SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ83

9.74€ TTC

4 En stock

Transistor BUZ83 N-MOS 800V 3.2A 78W <100/220nS. V-MOS. Constructeur: PHI. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.2 A. Puissance: 78 W

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ90

5.15€ TTC

28 En stock

Transistor BUZ90 N-MOS 600V 4.5A 75W <1.6R(2.8A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 1.6. Puissance: 75 W

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ906

58.07€ TTC

1 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -8A. Puissance: 125W. Paire: BUZ901. Boîtier: TO3.

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ90A

5.66€ TTC

59 En stock

Transistor BUZ90A N-MOS 600V 4A 75W <2R(2.8A). TO-220AB. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 75 W

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ90AF

5.38€ TTC

52 En stock

Transistor BUZ90AF N-MOS 600V 4A 35W <2R(2.8A). TO-220F. MOS-N-FET. Constructeur: SIE. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 35 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N BUZ91

5.32€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 8.5A 150W. Résistance passante RDSon : 0.8 Ohms (5A)

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ91A

5.66€ TTC

11 En stock

Transistor BUZ91A N-MOS 600V 8A 150W <0.9R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 150 W

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Tarifs dégressifs

Transistor BUZ91A-INF

6.33€ TTC

9 En stock

Transistor BUZ91A-INF N-MOS 600V 8A 150W <0.9R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 150 W

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Tarifs dégressifs

Transistor CEB6030L

3.19€ TTC

718 En stock

Transistor CEB6030L N-MOS 30V 52A/156Ap 75W 0.011R. Field Effect Power MOSFET. Logic Level Enhancement Mode. Constructeur: CET. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 52 A. Rds (Ohms): 0.011.

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Tarifs dégressifs

Transistor CM200DY-24H

254.25€ TTC

1 En stock

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 200A. Puissance: 1500W. Vce(sat): 2.5V. Boîtier isolé. Dual IGBT. Td(on): 250ns. Td(off): 300ns

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Tarifs dégressifs

Transistor CSB857

3.08€ TTC

13 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant collecteur maxi: 4A. Boîtier: TO-220. Paire: CSD1133. Fréquence maxi: 15 MHz. Tension Vcb: 70V. Puissance: 40W.

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Tarifs dégressifs

Transistor D44H11

2.69€ TTC

102 En stock

Transistor bipolaire NPN 80V 10A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant de collecteur maxi: 10A. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 50MHz. Paire: D45H11.

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Tarifs dégressifs

Transistor D44H8

4.65€ TTC

99 En stock

Transistor NPN D44H 8 60V 10A 50W 50MHz. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-220. Constructeur: ONS. Paire: D45H 8. Fréquence maxi: 50 MHz. Puissance: 50 W

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor BUZ34

Transistor BUZ34 N-MOS 200V 14A 78W <0.2R (9A). V-MOS L.. MOS-N-FET. Constructeur: PHI. Boîtier: 100/310nS. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 9 A. Rds (Ohms): 0.2. Puissance: 78 W

Transistor BUZ41A

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 4.5A 75W <1.5R(3A). Boîtier: 100/260nS. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 4.5A. Puissance: 75W. Id(T=100): 3A. Résistance Rds: 1.5. Fréquence de l´horlogenction: V-MOS L..

Transistor BUZ74

Transistor BUZ74 N-MOS 500V 2.4A 40W <3R(1.5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.5 A. Rds (Ohms): 3. Puissance: 40 W

Transistor BUZ76

Transistor BUZ76 N-MOS 400V 3A 40W <1.8R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Boîtier: <57/115nS. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 1.8. Puissance: 40 W

Transistor BUZ77A

Transistor BUZ77A N-MOS 600V 2.7A 75W <4R(1.7A). V-MOS. <50/105nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.7 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.7 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 75 W

Transistor BUZ77B

Transistor BUZ77B N-MOS 600V 2.9A 75W<3.5R(1.7A). V-MOS. MOS-N-FET. Boîtier: <50/105nS. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2.9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.7 A. Rds (Ohms): 3.5. Puissance: 75 W

Transistor BUZ80

Transistor BUZ80 N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IEC. Boîtier: SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W

Transistor BUZ80-SIE

Transistor BUZ80-SIE N-MOS 800V 6.1A 100W <4R(2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: SIE. SMPS. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2 A. Rds (Ohms): 4. Puissance: 100 W

Transistor BUZ83

Transistor BUZ83 N-MOS 800V 3.2A 78W <100/220nS. V-MOS. Constructeur: PHI. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.2 A. Puissance: 78 W

Transistor BUZ90

Transistor BUZ90 N-MOS 600V 4.5A 75W <1.6R(2.8A. V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 1.6. Puissance: 75 W

Transistor BUZ906

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -200V. Courant de drain maxi: -8A. Puissance: 125W. Paire: BUZ901. Boîtier: TO3.

Transistor BUZ90A

Transistor BUZ90A N-MOS 600V 4A 75W <2R(2.8A). TO-220AB. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 75 W

Transistor BUZ90AF

Transistor BUZ90AF N-MOS 600V 4A 35W <2R(2.8A). TO-220F. MOS-N-FET. Constructeur: SIE. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 4 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.8 A. Rds (Ohms): 2. Puissance: 35 W

Transistor MOSFET canal-N BUZ91

Transistor MOSFET canal-N 600V 8.5A 150W. Résistance passante RDSon : 0.8 Ohms (5A)

Transistor BUZ91A

Transistor BUZ91A N-MOS 600V 8A 150W <0.9R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: PMC. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 150 W

Transistor BUZ91A-INF

Transistor BUZ91A-INF N-MOS 600V 8A 150W <0.9R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: INF. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.9. Puissance: 150 W

Transistor CEB6030L

Transistor CEB6030L N-MOS 30V 52A/156Ap 75W 0.011R. Field Effect Power MOSFET. Logic Level Enhancement Mode. Constructeur: CET. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 30 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 52 A. Rds (Ohms): 0.011.

Transistor CM200DY-24H

Transistor IGBT N 1200V. Courant de collecteur maxi: 200A. Puissance: 1500W. Vce(sat): 2.5V. Boîtier isolé. Dual IGBT. Td(on): 250ns. Td(off): 300ns

Transistor CSB857

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 50V. Courant collecteur maxi: 4A. Boîtier: TO-220. Paire: CSD1133. Fréquence maxi: 15 MHz. Tension Vcb: 70V. Puissance: 40W.

Transistor D44H11

Transistor bipolaire NPN 80V 10A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant de collecteur maxi: 10A. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 50MHz. Paire: D45H11.

Transistor D44H8

Transistor NPN D44H 8 60V 10A 50W 50MHz. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 10 A. Boîtier: TO-220. Constructeur: ONS. Paire: D45H 8. Fréquence maxi: 50 MHz. Puissance: 50 W

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